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深海精灵

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STM32的几个注意事项  

2011-05-29 13:43:07|  分类: Cortex-M3 |  标签: |举报 |字号 订阅

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1、每组 VDD、VSS 管脚间并一个 100nF 电容,距离管脚越近越好;VDD3 需要加并一个 4.7μF 电容。

2、VDDA、VSSA 之间并一个 10nF 电容 加 1μF 电容;VREF±间使用同样方式。

3、在上电和正常操作期间,VDD和VDDA之间最多允许有300mV的差别(3.3V出两路,一路供 VDD,另外一路过基准供 VDDA,只要电压差小于 300mV 就可以);VREF+ 最小值 2.4V,最大值 VDDA

4、关于复位:当VDD/VDDA低于指定的限位电压VPOR/VPDR时,系统保持为复位状态,无需外部复位电路。NRST 脚内部弱上拉(30~50kΩ),和 VDD(不是VDDA) 相连。建议的引脚保护:使用 1μF 电容和地相连。

5、RTC 晶振选择:负载电容是 6p 的晶振!价格要贵些,没办法,只能用这个,否则不是不起振,就是偏差大,要么稍微有点干扰就停振。STM32 的 RTC 其实很稳定,没有任何问题,但要选对了晶振。串联的电容有公式,负载电容 CL 由下式计算:CL = CL1 x CL2 / (CL1 + CL2) + Cstray,其中 Cstray 是引脚的电容和 PCB 板或 PCB 相关的电容,它的典型值是介于2pF至7pF之间。CL1 和 CL2 一般选两个 10p 的。

6、电池备份区:手册上明确写明:当VDD断电时,可以保存备份寄存器的内容和维持RTC的功能。在VDD上升阶段(tRSTTEMPO)或者探测到PVD之后,VBAT和VDD之间的电源开关仍会保持连接在VBAT。在VDD上升阶段,如果VDD在小于tRSTTEMPO的时间内达到稳定状态(关于tRSTTEMPO可参考数据手册中的相关部分),且VDD > VBAT + 0.6V时,电流可能通过VDD和VBAT之间的内部二极管注入到VBAT。

  如果与VBAT连接的电源或者电池不能承受这样的注入电流,强烈建议在外部VBAT和电源之间连接一个低压降二极管。如果在应用中没有外部电池,建议VBAT在外部通过一个100nF的陶瓷电容与VDD相连。

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